DRAM IC - LPDDR4X

LPDDR4X-DRAMs (Low-Power Double Data Rate) bieten integrierte ECC-Fehlerkorrektur für hohe Datenintegrität und Systemstabilität, indem Einzelbitfehler direkt im DRAM-IC korrigiert werden. Mit einer I/O-Spannung von 0,6 V sind sie deutlich energieeffizienter als LPDDR4 und ideal für mobile und industrielle Anwendungen. Sie arbeiten im Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C.
Leistung und Spezifikationen
Die Module erreichen Geschwindigkeiten von bis zu 2133 MHz (4266 Mbps) und bieten Kapazitäten bis 8 GB. Das FBGA-200-Gehäuse ermöglicht kompakte Designs. LPDDR4X ist kompatibel mit führenden Plattformen und eignet sich für industrielle Systeme, eingebettete Geräte und stromsparende Anwendungen, wo hohe Leistung und Zuverlässigkeit gefragt sind.

• Hohe Geschwindigkeit bis zu 3733 MT/s
• Spannung: 1,8 V / 1,1 V / 0,6 V
• Kapazitätsbereich: 16 Gb bis 32 Gb
• Standard-Temperaturbereich: 0 °C bis +95 °C (Tc)
• Kompaktes Gehäusedesign zur Platzeinsparung auf der Platine
• Höhere Speicherdichte, geeignet für leistungsstarke Anwendungen