Les mémoires LPDDR4X-DRAM (Low-Power Double Data Rate) offrent une correction d’erreurs ECC intégrée pour garantir une haute intégrité des données et une stabilité du système, en corrigeant directement les erreurs d’un seul bit au sein du circuit DRAM lui-même. Avec une tension d’E/S de 0,6 V, elles sont nettement plus économes en énergie que la LPDDR4, ce qui les rend idéales pour les applications mobiles et industrielles. Elles fonctionnent dans une plage de température allant de -40 °C à +105 °C.
Performances et spécifications
Les modules atteignent des vitesses allant jusqu’à 2133 MHz (4266 Mbps) et offrent des capacités allant jusqu’à 8 Go. Leur boîtier FBGA-200 permet des conceptions compactes. La LPDDR4X est compatible avec les principales plateformes et convient parfaitement aux systèmes industriels, aux dispositifs embarqués et aux applications à faible consommation d’énergie, là où des performances élevées et une grande fiabilité sont requises.
- Haute vitesse jusqu’à 3733 MT/s
- Tension : 1,8 V / 1,1 V / 0,6 V
- Plage de capacité : de 16 Gb à 32 Gb
- Plage de température standard : de 0 °C à +95 °C (Tc)
- Conception de boîtier compacte pour un gain de place sur le circuit imprimé
- Densité de mémoire plus élevée, adaptée aux applications haute performance
