Zum Hauptinhalt springen

DRAM ICs

DRAM-Komponenten bieten eine einzigartige Kombination von Merkmalen und Fähigkeiten für viele Designanforderungen, einschließlich Handheld-Geräte.

Die Kosten pro Bit für DRAM-Komponenten sind im Vergleich zu gleichwertigen, eigenständigen DRAM-Komponenten, die als externer Speicher verwendet werden, höher, aber die Leistungsvorteile, die sich aus der Platzierung von DRAM-Komponenten auf demselben Chip wie der Prozessor ergeben, überwiegen in vielen Anwendungen die Kostennachteile.

Spezifikation

  • Kapazität: von 64Mb bis 16Gb
  • ECC on-chip: SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 und LPDDR4
  • AEC-Q100 DRAM ICs
  • Operating Temp: 0˚C bis +95˚C und -40˚C bis 95˚C
  • Data Transfer Rates: 166MHz bis 3200MHz
  • Garantie: 12 monate bis 5 Jahre
Hersteller
(98)

IC Package/Gehäuse
(1)

(1)

(8)

(15)

(27)

(10)

(23)

(3)

(2)

(8)

Kapazität
(2)

(1)

(4)

(16)

(18)

(13)

(16)

(28)

Komponenten Organisation
(6)

(4)

(8)

(4)

(10)

(6)

(4)

(6)

(4)

(6)

(10)

(1)

(6)

(10)

(6)

(1)

(4)

(2)

Taktung
(2)

(1)

(6)

(12)

(17)

(2)

(2)

(14)

(22)

(4)

(2)

(2)

(12)

ECC
(5)

Betriebstemperatur
(4)

(3)

(11)

(40)

(9)

(31)

DRAM-ICs mit hoher Speicherkapazität

Wegen der ständigen Nachfrage nach höherer Speicherkapazität in Computersystemen werden Techniken zur Erhöhung der Speicherdichte und -kapazität von DRAM-Komponenten bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung eines zuverlässigen und effizienten Betriebs kontinuierlich entwickelt. Neue Zelldesigns, Prozesstechnologien und dreidimensionale (3D) Stapelungsansätze erlauben es mehr Speicherzellen auf einer bestimmten Fläche unterzubringen.

Leistung- und Latenz optimiert

Die DRAM-Leistung ist ein entscheidender Faktor bei der Bestimmung der Gesamtsystemleistung. Die Forscher konzentrieren sich auf die Optimierung der Leistung und die Verringerung der Zugriffslatenz von DRAM-ICs. Dazu werden verschiedene Aspekte wie die Verwaltung von Zeilenpuffern, Algorithmen für die Befehlsplanung, Techniken für das Prefetching von Daten und Optimierungen des Speicher-Controllers untersucht. Ziel ist es, die Latenz zu minimieren, die Bandbreite zu verbessern und die allgemeine Systemleistung zu steigern.

Geringer Stromverbrauch

Der Stromverbrauch ist ein wichtiges Thema bei DRAM-ICs, insbesondere bei tragbaren Geräten und Systemen mit Energiebeschränkungen. Hier sind hohe Leistungseffizienz und optimierter Energieverbrauch gefragt. Mit stromsparenden Entwurfstechniken, Energieverwaltungsstrategien, adaptiver Spannungsskalierung und stromsparenden Zugriffs- und Aktualisierungsplanungsalgorithmen kann der Stromverbrauch trotz hoher Leistung deutlich gesenkt werden.

ANGEBOT ANFRAGEN

Contact Form

Kontaktdaten

Wir verwenden Ihre Daten ausschließlich gemäß unserer Datenschutzerklärung.

Wir freuen uns auf Ihre Anfrage und senden Ihnen
gerne ein Angebot oder nähere Informationen. 
Sprechen Sie uns an!

Ludovic Henault
System-D GmbH

Dieselstr. 11
85757 Karlsfeld
+49 8131 779 849-0
Kontaktformular