Composants DRAM à haute capacité de mémoire
Les systèmes informatiques ayant besoin de plus en plus de capacité de mémoire, les techniques visant à augmenter la densité et la capacité de mémoire des composants DRAM tout en maintenant un fonctionnement fiable et efficace continuent à se perfectionner. De nouveaux designs de cellules, de nouvelles technologies de processus et des approches d'empilement tridimensionnel (3D) permettent de loger davantage de cellules de mémoire dans une surface donnée.
Performance et latence optimisées
Les performances de la DRAM sont un facteur déterminant dans la détermination de la performance globale du système. Les chercheurs se concentrent sur l'optimisation des performances et la réduction de la latence d'accès des circuits intégrés DRAM. Pour ce faire, ils étudient différents aspects tels que la gestion des tampons de ligne, les algorithmes de planification des instructions, les techniques de pré-affectation des données et les optimisations du contrôleur de mémoire. L'objectif est de minimiser la latence, d'améliorer la bande passante et d'augmenter les performances générales du système.
Faible consommation d'énergie
La consommation d'énergie est une question importante pour les circuits intégrés DRAM, en particulier pour les appareils portables et les systèmes soumis à des restrictions d'énergie qui requièrent une grande efficacité de performance ainsi qu'une consommation d'énergie optimisée. Les techniques de conception à faible consommation, les stratégies de gestion de l'énergie, la mise à l'échelle adaptative de la tension et les algorithmes de planification d'accès et de mise à jour à faible consommation permettent de réduire considérablement la consommation d'énergie malgré des performances élevées.
