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Composants DRAM

Les circuits intégrés DRAM (Dynamic Random Access Memory) sont des éléments essentiels de l’électronique moderne, utilisés comme mémoire vive volatile dans une large gamme d’applications – des installations industrielles aux systèmes embarqués, en passant par les appareils mobiles. Grâce à leur haute densité de stockage, à leurs temps d’accès rapides et à leur développement constant, ils offrent un équilibre optimal entre performance, efficacité énergétique et fiabilité.

En tant que distributeur agréé, SYSTEM-D propose un large choix de composants DRAM issus des plus grands fabricants. Notre portefeuille comprend différents types de DRAM – des SDRAM classiques aux générations DDR, en passant par les variantes LPDDR à faible consommation – disponibles dans diverses capacités, formats de boîtier et plages de température. Vous trouverez ainsi chez nous la solution mémoire adaptée à vos besoins spécifiques.

Découvrez notre gamme de DRAM-IC et profitez de notre expertise technique et de notre accompagnement personnalisé.

  • Capacité : de 64 Mb à 16 Gb
  • ECC intégré : disponible pour SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 et LPDDR4
  • DRAM ICs certifiés AEC-Q100
  • Température de fonctionnement : de 0 °C à +95 °C et de -40 °C à +95 °C
  • Taux de transfert de données : de 166 MHz à 3200 MHz
  • Garantie : de 12 mois à 5 ans
Interface
Boitier IC
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Capacité
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Organisation des composants
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Fréquence
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Correction d'erreurs (ECC)
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Plage de température
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Référence fabricant
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Composants DRAM à haute capacité de mémoire

Les systèmes informatiques ayant besoin de plus en plus de capacité de mémoire, les techniques visant à augmenter la densité et la capacité de mémoire des composants DRAM tout en maintenant un fonctionnement fiable et efficace  continuent à se perfectionner. De nouveaux designs de cellules, de nouvelles technologies de processus et des approches d'empilement tridimensionnel (3D) permettent de loger davantage de cellules de mémoire dans une surface donnée.

 

Performance et latence optimisées

Les performances de la DRAM sont un facteur déterminant dans la détermination de la performance globale du système. Les chercheurs se concentrent sur l'optimisation des performances et la réduction de la latence d'accès des circuits intégrés DRAM. Pour ce faire, ils étudient différents aspects tels que la gestion des tampons de ligne, les algorithmes de planification des instructions, les techniques de pré-affectation des données et les optimisations du contrôleur de mémoire. L'objectif est de minimiser la latence, d'améliorer la bande passante et d'augmenter les performances générales du système.

 

Faible consommation d'énergie

La consommation d'énergie est une question importante pour les circuits intégrés DRAM, en particulier pour les appareils portables et les systèmes soumis à des restrictions d'énergie qui requièrent une grande efficacité de performance ainsi qu'une consommation d'énergie optimisée. Les techniques de conception à faible consommation, les stratégies de gestion de l'énergie, la mise à l'échelle adaptative de la tension et les algorithmes de planification d'accès et de mise à jour à faible consommation permettent de réduire considérablement la consommation d'énergie malgré des performances élevées.

 

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Ludovic Henault
System-D GmbH

 

Dieselstr. 11
85757 Karlsfeld
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