DRAM ICs
Spezifikation
- Kapazität: von 64Mb bis 16Gb
- ECC on-chip: SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 und LPDDR4
- AEC-Q100 DRAM ICs
- Operating Temp: 0˚C bis +95˚C und -40˚C bis +95˚C
- Data Transfer Rates: 166MHz bis 3200MHz
- Garantie: 12 Monate bis 5 Jahre
DRAM-ICs mit hoher Speicherkapazität
Wegen der ständigen Nachfrage nach höherer Speicherkapazität in Computersystemen werden Techniken zur Erhöhung der Speicherdichte und -kapazität von DRAM-Komponenten bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung eines zuverlässigen und effizienten Betriebs kontinuierlich entwickelt. Neue Zelldesigns, Prozesstechnologien und dreidimensionale (3D) Stapelungsansätze erlauben es mehr Speicherzellen auf einer bestimmten Fläche unterzubringen.
Leistung- und Latenz optimiert
Die DRAM-Leistung ist ein entscheidender Faktor bei der Bestimmung der Gesamtsystemleistung. Die Forscher konzentrieren sich auf die Optimierung der Leistung und die Verringerung der Zugriffslatenz von DRAM-ICs. Dazu werden verschiedene Aspekte wie die Verwaltung von Zeilenpuffern, Algorithmen für die Befehlsplanung, Techniken für das Prefetching von Daten und Optimierungen des Speicher-Controllers untersucht. Ziel ist es, die Latenz zu minimieren, die Bandbreite zu verbessern und die allgemeine Systemleistung zu steigern.
Geringer Stromverbrauch
Der Stromverbrauch ist ein wichtiges Thema bei DRAM-ICs, insbesondere bei tragbaren Geräten und Systemen mit Energiebeschränkungen. Hier sind hohe Leistungseffizienz und optimierter Energieverbrauch gefragt. Mit stromsparenden Entwurfstechniken, Energieverwaltungsstrategien, adaptiver Spannungsskalierung und stromsparenden Zugriffs- und Aktualisierungsplanungsalgorithmen kann der Stromverbrauch trotz hoher Leistung deutlich gesenkt werden.
